Описание
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) создан в 1964 году на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР.
Научно-методическое руководство и координацию исследований выполняют Отделение физических наук РАН и Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН.
Институт представляет из себя исследовательский центр, проводящий исследования в области современной физики полупроводников, физики конденсированного состояния, в развитии научных основ технологий полупроводниковой микро-, опто-, нано- и акустоэлектроники, информационных технологий и квантовой электроники.
В институте пять отделов и двадцать пять лабораторий и групп. Институт имеет два филиала: Новосибирский филиал Учреждения Российской академии наук Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники» и Омский филиал Учреждения Российской академии наук Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН.